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二次電子不是說小于10納米的淺層才能出射的嗎，難道加速電壓高了，有深層二次電子出射嗎?或者SE探頭接受的是BSE，所以才能看到深層電路?討論了一下，發(fā)現(xiàn)想解答清楚這個提問，SE、SE的探頭類型、BSE、BSE的探頭類型，這是一定要說的，然后會引出SE和BSE圖像的襯度問題，荷電問題...(這里就要麻煩啦...電荷不存在了，正荷電、負荷電怎么解釋?)談到荷電必然引出鍍膜、低真空(包括低真空探頭等)，跟著是In-Beam SE探頭、In-Beam BSE探頭，減速技術等，最后是復雜的In-Beam SE探頭接受SE和BSE像…如果都說完了，好像掃描電鏡成像就基本講完了，這篇幅也太大。沒辦法這次先填第一個，介紹一下SE，以后爭取再一一解答。二次電子(Secondary Electron)是吸收能量后激發(fā)的樣品原子核外的電子，一般認為能量小于50eV，出射深度只有10納米。

二次電子的產(chǎn)率與電子束入射角度相關，對原子序數(shù)不敏感，其實二次電子對原子序數(shù)20以前的還是敏感的。
入射電子在樣品深層也會激發(fā)出二次電子，但這些二次電子會被吸收掉，無法出射，所以我們接受到的二次電子都是淺層出射的。

但背散射電子也會在樣品淺層激發(fā)二次電子，由于背散射電子出射深度大，樣品深層的成分、結構自然影響背散射電子的空間分布、強度，進而也影響二次電子的激發(fā)，自然這些二次電子也就帶有了樣品深層的信息。所以當加速定壓提高時，更多的深層背散射電子出射，它們激發(fā)了更多的帶有深層信息的二次電子，所以我們也就看到了更多的樣品深層信息。
蔡司ZEISS掃描電鏡根據(jù)二次電子的激發(fā)源頭，可將二次電子SE分為SE1，SE2，SE3。SE1即為入射電子激發(fā)的二次電子，對極表面的信息反映zui佳;SE2是由背散射電子在樣品表面激發(fā)的二次電子，帶有樣品深層信息;SE3則是背散射電子在物鏡下沿表面激發(fā)的二次電子，基本不反應樣品信息。一般我們接收到的都是SE1，SE2的混合像，隨著加速電壓的提高，SE2比例也在提高，自然深層信息越多。

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